کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006169 | 1461385 | 2017 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing](/preview/png/5006169.png)
چکیده انگلیسی
This paper reviews recent work highlighting the potential of LTA as an enabler for next generation technologies covering a wide range of applications from Logic to Nano-Electro-Mechanical Systems (NEMS) and 3D sequential integration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 62, May 2017, Pages 92-102
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 62, May 2017, Pages 92-102
نویسندگان
Karim Huet, Fulvio Mazzamuto, Toshiyuki Tabata, Ines Toqué-Tresonne, Yoshihiro Mori,