کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006178 | 1461385 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Doping top-down e-beam fabricated germanium nanowires using molecular monolayers
ترجمه فارسی عنوان
دوپینگ نانوسیمهای ژرمانیوم از بالا به پایین پرتو الکترونی با استفاده از تک لایههای مولکولی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
This paper describes molecular layer doping of Ge nanowires. Molecules containing dopant atoms are chemically bound to a germanium surface. Subsequent annealing enables the dopant atoms from the surface bound molecules to diffuse into the underlying substrate. Electrical and material characterization was carried out, including an assessment of the Ge surface, carrier concentrations and crystal quality. Significantly, the intrinsic resistance of Ge nanowires with widths down to 30Â nm, doped using MLD, was found to decrease by several orders of magnitude.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 62, May 2017, Pages 196-200
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 62, May 2017, Pages 196-200
نویسندگان
B. Long, G. Alessio Verni, J. O'Connell, M. Shayesteh, A. Gangnaik, Y.M. Georgiev, P. Carolan, D. O'Connell, K.J. Kuhn, S.B. Clendenning, R. Nagle, R. Duffy, J.D. Holmes,