کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006185 | 1461387 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of number of laser pulses on p+/n silicon ultra-shallow junction formation during non-melt ultra-violet laser thermal annealing
ترجمه فارسی عنوان
اثر تعداد پالس های لیزر بر روی پی وی سی سیلیکون پی وی سی در طول گرمای لیزر نانو ذرات نوری
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
آنیلینگ لیزری، لیزر فوق العاده بنفش اتصال فوقانی کم عمق، سیلیکون، بلوری رامان،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
We investigate the effect of the number of laser pulses on the formation of p+/n silicon ultra-shallow junctions during non-melt ultra-violet laser (wavelength, 355Â nm) annealing. Through surface peak temperature calculating by COMSOL Multiphysics, the non-melt laser thermal annealing is performed under the energy density of 130Â mJ/cm2. We demonstrate that increasing the number of laser pulses without additional pre-annealing is an effective annealing method for achieving good electrical properties and shallow junction depth by analyzing sheet resistance and junction depth profiles. The optimal number of laser pulses is eight for achieving a high degree of activation of dopant without further increase of junction depth. We have also explained the improved electrical characteristics of the samples on the basis of fully recovered crystallinity as revealed by Raman spectroscopy. Thus, it is suggested that controlling the number of laser pulses with moderate energy density is a promising laser annealing method without additional pre-annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 60, 15 March 2017, Pages 34-39
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 60, 15 March 2017, Pages 34-39
نویسندگان
Sang Min Jung, Chul Jin Park, Hongsik Jeong, Moo Whan Shin,