کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006209 | 1461388 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhanced thermal stability of reduced graphene oxide-Silicon Schottky heterojunction solar cells via nitrogen doping
ترجمه فارسی عنوان
ثبات حرارتی پیشرفته کاهش سلول های خورشیدی گرانش گرافیت اکسید گرافین سیلیکون شاتکی از طریق دوپینگ نیتروژن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کاهش اکسید گرافین، دوپینگ نیتروژن، سلول های خورشیدی، پایداری حرارتی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
We investigated the thermal stability and electrical properties of nitrogen-doped reduced graphene oxide (NrGO)/n-type Si solar cells. A NrGO layer was used as a transparent electrode as well as an electron-hole separation layer simultaneously. The effect of doping on the carbon and nitrogen bonding configurations in NrGO was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The XPS data indicate that pyridinic-N is the dominant bonding configuration. This bonding configuration leads to a reduction in the power conversion efficiency and a decrease in the short circuit current. However, on being subjected to thermal oxidation, the NrGO/n-type Si solar cells exhibit a smaller variation in series resistance compared to the undoped rGO/Si solar cells. Results of accelerated thermal tests suggest that nitrogen doping prevents re-oxidation of the reduced graphene oxide layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 59, 1 March 2017, Pages 45-49
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 59, 1 March 2017, Pages 45-49
نویسندگان
Min Han, Beo Deul Ryu, Jung-Hwan Hyung, Nam Han, Young Jae Park, Kang Bok Ko, Ko Ku Kang, Tran Viet Cuong, Chang-Hee Hong,