کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006236 | 1461390 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of fin tapering effect in nanoscale symmetric dual-k spacer (SDS) hybrid FinFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Study of fin tapering effect in nanoscale symmetric dual-k spacer (SDS) hybrid FinFETs Study of fin tapering effect in nanoscale symmetric dual-k spacer (SDS) hybrid FinFETs](/preview/png/5006236.png)
چکیده انگلیسی
Symmetric Dual-k Spacer (SDS) Hybrid FinFETs is a novel device, which combines three significant technologies i.e., 2-D ultra-thin-body (UTB), 3-D FinFET, and symmetric spacer engineering on a single silicon on insulator (SOI) platform. For the first time, this article systematically analyzes the impacts of non-rectangular fin shape on various performance metrics of SDS Hybrid FinFETs. Under distinctive inclination fin angles as prescribed by the process technology, the performances of the device at different fin heights are examined. This work evaluates the response of fin tapering as well as fin height on parameters like threshold voltage (Vth), subthreshold slope (SS), on current (Ion), transconductance (gm), transconductance generation factor (TGF), and total gate capacitance (Cgg) in SDS Hybrid FinFETs. Optimum structural configuration is thus proposed to fabricate the hybrid device in sub-20Â nm FinFET architecture.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 57, January 2017, Pages 185-189
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 57, January 2017, Pages 185-189
نویسندگان
K.P. Pradhan, Priyanka Priyanka, P.K. Sahu,