کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006265 | 1461392 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaInN/GaN solar cells made without p-type material using oxidized Ni/Au Schottky electrodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
GaInN/GaN solar cells made without p-type material are demonstrated using an oxidized Ni/Au Schottky barrier design to collect photo-generated carriers. The best devices exhibit a short-circuit current density of 0.065 mA/cm2 with an open-circuit voltage of 0.4Â V under AM0 (1-Sun) illumination. Preliminary computer simulations are in reasonable agreement with experimental results, giving a pathway to improve device performance via iterative redesign and testing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 55, 15 November 2016, Pages 2-6
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 55, 15 November 2016, Pages 2-6
نویسندگان
Kevin T. Chern, Noah P. Allen, Timothy A. Ciarkowski, Oleg A. Laboutin, Roger E. Welser, Louis J. Guido,