کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5006265 1461392 2016 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaInN/GaN solar cells made without p-type material using oxidized Ni/Au Schottky electrodes
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
GaInN/GaN solar cells made without p-type material using oxidized Ni/Au Schottky electrodes
چکیده انگلیسی
GaInN/GaN solar cells made without p-type material are demonstrated using an oxidized Ni/Au Schottky barrier design to collect photo-generated carriers. The best devices exhibit a short-circuit current density of 0.065 mA/cm2 with an open-circuit voltage of 0.4 V under AM0 (1-Sun) illumination. Preliminary computer simulations are in reasonable agreement with experimental results, giving a pathway to improve device performance via iterative redesign and testing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 55, 15 November 2016, Pages 2-6
نویسندگان
, , , , , ,