کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006273 | 1461392 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxygen-related photoluminescence quenching in selectively grown GaN nanocolumns: Dependence on diameter
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This work reports on the effects of air exposure on the photoluminescence intensity of GaN nanocolumns, with diameters ranging from below 40Â nm up to around 230Â nm, grown selectively on GaN/sapphire and GaN/Si(111). The high control of dimensions provided by selective area growth epitaxy allowed for a better study of the relationship between the observed phenomena, namely the photoluminescence intensity quenching due to oxygen photo-adsorption, and the nanocolumns properties (morphology and dimensions). For nanocolumns with diameters below 120Â nm and lengths of about 300Â nm, photoluminescence intensity dropped by more than 90% of the initial value, while for shorter nanocolumns a reduced drop value was found.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 55, 15 November 2016, Pages 59-62
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 55, 15 November 2016, Pages 59-62
نویسندگان
A. Bengoechea-Encabo, S. Albert, M.A. Sánchez-Garcia, E. Calleja,