کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010282 | 1462202 | 2017 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A compact explicit DC model for short channel Gate-All-Around junctionless MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A compact explicit DC model for short channel Gate-All-Around junctionless MOSFETs A compact explicit DC model for short channel Gate-All-Around junctionless MOSFETs](/preview/png/5010282.png)
چکیده انگلیسی
In this paper we provide solutions to update a long channel model in order to take into account the short channel effects. The presented model is for the junctionless GAA MOSFETs. The resulting model is analytical, explicit and valid for depletion and accumulation regimes, and consists of simple physically based equations, for better understanding of this device, and also easier implementation and better computation speed as a compact model. The agreement with TCAD simulations is very good.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 131, May 2017, Pages 24-29
Journal: Solid-State Electronics - Volume 131, May 2017, Pages 24-29
نویسندگان
François Lime, Fernando Ávila-Herrera, Antonio Cerdeira, BenjamÃn Iñiguez,