کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010329 | 1462205 | 2017 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Elimination of the channel current effect on the characterization of MOSFET threshold voltage using junction capacitance measurements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An alternative method for an extraction of the MOSFET threshold voltage has been proposed. It is based on an analysis of the MOSFET source-bulk junction capacitance behavior as a function of the gate-source voltage. The effect of the channel current on the threshold voltage extraction is fully eliminated. For the threshold voltage and junction capacitance model parameters non-iterative methods have been used. The proposed method has been demonstrated using a series of MOS transistors manufactured using a standard CMOS technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 92-101
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 92-101
نویسندگان
Daniel Tomaszewski, Grzegorz GÅuszko, Lidia Åukasiak, Krzysztof Kucharski, Jolanta MalesiÅska,