کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010332 | 1462205 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Systematic method for electrical characterization of random telegraph noise in MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This work introduces a new protocol which aims to facilitate massive on-wafer characterization of Random Telegraph Noise (RTN) in MOS transistors. The methodology combines the noise spectral density scanning by gate bias assisted with a modified Weighted Time Lag Plot algorithm to identify unequivocally the single-trap RTN signals in optimum bias conditions for their electrical characterization. The strength of the method is demonstrated by its application for monitoring the distribution of traps over the transistors of a SOI wafer. The influence of the back-gate bias on the RTN characteristics of the SOI devices with coupled front- and back-interfaces has revealed unusual characteristics compatible with the carrier emission to the gate metal contact.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 115-120
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 115-120
نویسندگان
Carlos Marquez, Noel Rodriguez, Francisco Gamiz, Akiko Ohata,