Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; Carbon nanotube; Random telegraph noise; Quantum dot; Charge trap
مقالات ISI سر و صدا تلگراف تصادفی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Static and low frequency noise characterization of ultra-thin body InAs MOSFETs
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; Electrical characterization; III-V materials; InAs MOSFETs; Low-frequency noise; Random telegraph noise;
Systematic method for electrical characterization of random telegraph noise in MOSFETs
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; Random telegraph noise; MOSFET reliability; Low frequency noise (LFN);
Low frequency noise in magnetic tunneling junctions with Co40Fe40B20/Co70.5Fe4.5Si15B10 composite free layer
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; Magnetic tunneling junctions; Low frequency noise; Random telegraph noise; Tunneling magnetoresistance
Electrical characterization of Random Telegraph Noise in Fully-Depleted Silicon-On-Insulator MOSFETs under extended temperature range and back-bias operation
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; Random Telegraph Noise; MOSFET; Silicon-On-Insulator; Reliability; Back-bias; Buried oxide;
New high resolution Random Telegraph Noise (RTN) characterization method for resistive RAM
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; Resistive switching; Random Telegraph Noise; Resolution; Time constants; RRAM;
Quantum Fisher information of the GHZ state due to classical phase noise lasers under non-Markovian environment
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; Quantum Fisher information; GHZ state; Non-Markovian dynamics; Phase noise laser; Random telegraph noise
AVERT: An elaborate model for simulating variable retention time in DRAMs
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; DRAM; Variable retention time; Simulation; Modeling; Random telegraph noise;
RTN distribution comparison for bulk, FDSOI and FinFETs devices
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; Random Telegraph Noise; Simulation; FinFET; Statistical variability; Reliability;
Cs encapsulation and interacting noise sources in carbon nanotubes
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; Carbon nanotube; Random telegraph noise; Cs encapsulation; Interacting noise sources;
RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; RTN; Random telegraph noise; Traps; Vertical FET; NVM; Polysilicon;
RTS noise characterization of HfOx RRAM in high resistive state
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; Random telegraph noise; Time lag plot; Hidden markov model; Resistive random access memory; Trap assisted conduction
Random telegraph noise in carbon nanotubes and peapods
Keywords: سر و صدا تلگراف تصادفی; 73.63.Fg; 72.70.+m; 73.23.âb; Random telegraph noise; Single-walled carbon nanotubes;