کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944096 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application](/preview/png/6944096.png)
چکیده انگلیسی
- Random telegraph noise and low-frequency noise in polysilicon device.
- The impact of electron trapping and detrapping events in scaled non-volatile memories.
- Behavior of gate oxide, interface and polysilicon traps in n-type polysilicon cylindrical vertical transistors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 105-108
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 105-108
نویسندگان
Maria Glória Caño de Andrade, MarÃa Toledano-Luque, Fatma Fourati, Robin Degraeve, João Antonio Martino, Cor Claeys, Eddy Simoen, Geert Van den Bosch, Jan Van Houdt,