کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944096 1450372 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
RTN assessment of traps in polysilicon cylindrical vertical FETs for NVM application
چکیده انگلیسی

- Random telegraph noise and low-frequency noise in polysilicon device.
- The impact of electron trapping and detrapping events in scaled non-volatile memories.
- Behavior of gate oxide, interface and polysilicon traps in n-type polysilicon cylindrical vertical transistors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 105-108
نویسندگان
, , , , , , , , ,