کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010340 | 1462205 | 2017 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reconfigurable ultra-thin film GDNMOS device for ESD protection in 28Â nm FD-SOI technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We propose a novel ESD protection device (GDNMOS: Gated Diode merged NMOS) fabricated with 28Â nm UTBB FD-SOI high-k metal gate technology. By modifying the combination of the diode and transistor gate stacks, the robustness of the device is optimized, achieving a maximum breakdown voltage (VBR) of 4.9Â V. In addition, modifications of the gate length modulate the trigger voltage (Vt1) with a minimum value of 3.5Â V. Variable electrostatic doping (gate-induced) in diode and transistor body enables reconfigurable operation. A lower doping of the base enhances the bipolar gain, leading to thyristor behavior. This innovative architecture demonstrates excellent capability for high-voltage protection while maintaining a latch-up free behavior.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 172-179
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 172-179
نویسندگان
Sotirios Athanasiou, Charles-Alexandre Legrand, Sorin Cristoloveanu, Philippe Galy,