دانلود مقالات ISI درباره Fd-Soi + ترجمه فارسی

Analysis and modeling of wafer-level process variability in 28 nm FD-SOI using split C-V measurements

Keywords: Global variability; Split C-V; FD-SOI; Leti-UTSOI; Modeling; Characterization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 32 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Reconfigurable ultra-thin film GDNMOS device for ESD protection in 28 nm FD-SOI technology

Keywords: CMOS; Electrostatic discharges; ESD; FD-SOI; Gated diode; LBJT; MOSFET; SOI; Thyristor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Improvement of etching and cleaning methods for integration of raised source and drain in FD-SOI technologies

Keywords: SiBCN; SiGe; SiCoNi™ Preclean; FD-SOI; Raised source/drain; WET clean;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

BIMOS transistor solutions for ESD protection in FD-SOI UTBB CMOS technology

Keywords: BIMOS transistor; ESD protection; FD-SOI; CMOS; TCAD; SOI;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Low thermal budget for Si and SiGe surface preparation for FD-SOI technology

Keywords: Si; SiGe; SiCoNi™ preclean; FD-SOI; SiGe:B; WET clean;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Exploiting reliable features of asynchronous circuits for designing low-voltage components in FD-SOI technology

Keywords: Asynchronous circuits; C-Element; QDI; FD-SOI; Low-voltage;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

In depth characterization of electron transport in 14 nm FD-SOI CMOS devices

Keywords: UTBB; FD-SOI; High-k/metal gate stack; Neutral defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Dual Ground Plane EDMOS in 28 nm FDSOI for 5 V power management applications

Keywords: FD-SOI; Extended-drain; MOSFET; EDMOS; Back-bias

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

High-resolution mobility spectrum analysis of magnetoresistance in fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs

Keywords: FD-SOI; Mobility; Magnetoresistance; Hall-effect; Mobility spectrum analysis; MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Magnetoresistance mobility characterization in advanced FD-SOI n-MOSFETs

Keywords: UTBB; FD-SOI; Magneto transport; High-k/metal gate stack; Series resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Characterization and modeling of capacitances in FD-SOI devices

Keywords: Capacitance; FD-SOI; MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Strain sensitivity of gate leakage in strained-SOI nMOSFETs: A benefit for the performance trade-off and a novel way to extract the strain-induced band offset

Keywords: MOSFET; Strained silicon; FD-SOI; Gate leakage; Band offset; Fowler–Nordheim

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improved current drivability with back-gate bias for elevated source and drain structured FD-SOI SiGe MOSFET

Keywords: FD-SOI; SiGe; UHV-CVD; Back-gate bias

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Piezoresistance effect of strained and unstrained fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs integrating a HfO2/TiN gate stack

Keywords: MOSFET; Strained silicon; Piezoresistance; Uniaxial stress; Shear stress; Biaxial stress; Fully-depleted silicon-on-insulator; FD-SOI

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Low-temperature electrical characterization of fully depleted eXtra-strained SOI n-MOSFETs with TiN/HfO2 gate stack for the 32-nm technology node

Keywords: FD-SOI; Low-field mobility; Low-temperature; NCE; n-MOSFET; SCE; Strain; Subthreshold swing; TiN/HfO2 gate stack; Threshold voltage;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

In-depth electrical characterization of sub-45 nm fully depleted strained SOI MOSFETs with TiN/HfO2 gate stack

Keywords: c-MOSFET; FD-SOI; Strain; SCE; NCE; Low field mobility; TiN/HfO2 gate stack

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه