کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411599 | 894671 | 2016 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
BIMOS transistor solutions for ESD protection in FD-SOI UTBB CMOS technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We evaluate the Electro-Static Discharge (ESD) protection capability of BIpolar MOS (BIMOS) transistors integrated in ultrathin silicon film for 28Â nm Fully Depleted SOI (FD-SOI) Ultra Thin Body and BOX (UTBB) high-k metal gate technology. Using as a reference our measurements in hybrid bulk-SOI structures, we extend the BIMOS design towards the ultrathin silicon film. Detailed study and pragmatic evaluations are done based on 3D TCAD simulation with standard physical models using Average Current Slope (ACS) method and quasi-static DC stress (Average Voltage Slope AVS method). These preliminary 3D TACD results are very encouraging in terms of ESD protection efficiency in advanced FD-SOI CMOS.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 192-200
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 192-200
نویسندگان
Philippe Galy, S. Athanasiou, S. Cristoloveanu,