کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1508094 | 993951 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-temperature electrical characterization of fully depleted eXtra-strained SOI n-MOSFETs with TiN/HfO2 gate stack for the 32-nm technology node
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, experimental results for low-temperature operation on advanced eXtra-strained FD-SOI NMOS transistors with thin film, high-k dielectric, mid-gap metal gate, and with very aggressive dimensions are presented for the 32-nm technology node. The temperature dependence of some key parameters are used to analyze the impact of strain amount on the stress-induced mobility gain, to identify the major physical mechanisms responsible of this enhanced performance, as well as the short channel effect and the narrow channel effect, down to 25Â nm gate length and width.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Cryogenics - Volume 49, Issue 11, November 2009, Pages 605-610
Journal: Cryogenics - Volume 49, Issue 11, November 2009, Pages 605-610
نویسندگان
S. Feruglio, F. Andrieu, O. Faynot, G. Ghibaudo,