کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010348 | 1462206 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Depletion effect of polycrystalline-silicon gate electrode by phosphorus deactivation
ترجمه فارسی عنوان
اثر تخریب الکترودهای گریز از پلی کریستالی-سیلیکون با غیرفعال کردن فسفر
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سیلیکون، فسفر، اثر تخریب، غیرفعال کردن،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
A study of the polycrystalline silicon depletion effect generated from the subsequent thermal process is undertaken. Although phosphorus out-diffusion, which causes the polycrystalline silicon depletion effect, is increased with an increase in the thermal process temperature, the polysilicon depletion effect is stronger when inducing rapid thermal annealing in lower temperatures of 600-800 °C than in 900 °C. This indicates that the major reason for the polysilicon depletion effect is not the out-diffusion of phosphorus but the electrical deactivation of phosphorus, which is segregated at the grain boundary. Therefore, by increasing the size of polycrystalline silicon grain, we can efficiently reduce the polysilicon depletion effect and enhance the tolerance to deactivation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 127, January 2017, Pages 1-4
Journal: Solid-State Electronics - Volume 127, January 2017, Pages 1-4
نویسندگان
Woojin Jeon, Ji-Hoon Ahn,