کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5010352 1462206 2017 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
2.5 GHz integrated graphene RF power amplifier on SiC substrate
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
2.5 GHz integrated graphene RF power amplifier on SiC substrate
چکیده انگلیسی
In this work, we report the design of 2.5 GHz integrated power amplifier based on a graphene FET fabricated with thermal deposition on SiC. In this first large signal study of graphene radiofrequency power amplifiers, a power gain of 8.9 dB is achieved, the maximum reported output power and power added efficiency are 5.1 dBm and 2.2% respectively. Furthermore, graphene and Si CMOS amplifiers are compared; conclusions are drawn towards the technology enhancements to optimize the amplifiers figures of merit.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 127, January 2017, Pages 26-31
نویسندگان
, , , , , ,