کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010352 | 1462206 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
2.5Â GHz integrated graphene RF power amplifier on SiC substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work, we report the design of 2.5Â GHz integrated power amplifier based on a graphene FET fabricated with thermal deposition on SiC. In this first large signal study of graphene radiofrequency power amplifiers, a power gain of 8.9Â dB is achieved, the maximum reported output power and power added efficiency are 5.1Â dBm and 2.2% respectively. Furthermore, graphene and Si CMOS amplifiers are compared; conclusions are drawn towards the technology enhancements to optimize the amplifiers figures of merit.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 127, January 2017, Pages 26-31
Journal: Solid-State Electronics - Volume 127, January 2017, Pages 26-31
نویسندگان
T. Hanna, N. Deltimple, M.S. Khenissa, E. Pallecchi, H. Happy, S. Frégonèse,