کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5010437 1462208 2016 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The defect-centric perspective of device and circuit reliability-From gate oxide defects to circuits
ترجمه فارسی عنوان
دیدگاه نقص مرکزی قابلیت اطمینان دستگاه و مدار - از نقص اکسید دروازه به مدار
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
تنوع سازگاری (زمان صفر) و میانگین پیری دستگاه در حال حاضر به طور معمول در شبیه سازی مدار و طراحی در نظر گرفته شده است. تنوع وابسته به زمان (تنوع مربوط به قابلیت اطمینان) نگرانی در حال ظهور است که باید در طراحی مدار نیز مورد توجه قرار گیرد. این پدیده در دستگاه های عمیق مقیاس را می توان در داخل تصویر به اصطلاح نقص محور در نظر گرفته شده از مجموعه ای از نقص های فردی است. خصوصیات نقص اکسید دروازه بحث شده است. بیشتر نشان داده شده است که چطور ویژگی های الکتریکی را می توان برای ساخت توزیع متغیر وابسته به زمان استفاده کرد و می تواند تا مدارهای سطح ترانزیستور پخش شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش مقاله
دیدگاه نقص مرکزی قابلیت اطمینان دستگاه و مدار - از نقص اکسید دروازه به مدار
چکیده انگلیسی
As-fabricated (time-zero) variability and mean device aging are nowadays routinely considered in circuit simulations and design. Time-dependent variability (reliability-related variability) is an emerging concern that needs to be considered in circuit design as well. This phenomenon in deeply scaled devices can be best understood within the so-called defect-centric picture in terms of an ensemble of individual defects. The properties of gate oxide defects are discussed. It is further shown how in particular the electrical properties can be used to construct time-dependent variability distributions and can be propagated up to transistor-level circuits.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 125, November 2016, Pages 52-62
نویسندگان
, , , , , , , , , , , , , , , , , , ,