کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5181165 | 1380954 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Triphenylsulfonium salt methacrylate bound polymer resist for electron beam lithography
ترجمه فارسی عنوان
پلیمر متشکل متاکریلات نمک ترفتینیل سولفونیمیم برای لیتوگرافی پرتو الکترونی مقاومت می کند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آلی
چکیده انگلیسی
A new photoacid generator (PAG) bound polymer containing triphenylsulfonium salt methacrylate (TPSMA) was synthesized and characterized. The PAG bound polymer was employed to improve electron beam lithographic performance, including sensitivity and resolution. The PAG bound polymer resist exhibited a higher sensitivity (120 μC/cm2) than the PAG blend polymer resist (300 μC/cm2). Eliminating the post exposure baking process during development improved the resolution due to decreased acid diffusion. A high-resolution pattern fabricated by electron beam lithography had a line width of 15 nm and a high aspect ratio. The newly developed patterns functioned well as masks for transferring patterns on Si substrates by reactive ion etching.
152
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Polymer - Volume 55, Issue 16, 5 August 2014, Pages 3599-3604
Journal: Polymer - Volume 55, Issue 16, 5 August 2014, Pages 3599-3604
نویسندگان
Jae Beom Yoo, Sang-Wook Park, Ha Na Kang, Hemant S. Mondkar, Kyunghwa Sohn, Hyun-Mi Kim, Ki-Bum Kim, Haiwon Lee,