کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353453 | 1503606 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of photocatalytic oxidation technology on GaN CMP
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
- Photocatalytic oxidation technology was introduced to GaN CMP for the first time and proves to be more efficient than before.
- XPS analysis reveals the planarization process by different N-type semiconductor particles.
- Analyzing the effect of pH on photocatalytic oxidation in GaN CMP.
- Proposing the photocatalytic oxidation model to reveal the removal mechanism.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 361, 15 January 2016, Pages 18-24
Journal: Applied Surface Science - Volume 361, 15 January 2016, Pages 18-24
نویسندگان
Jie Wang, Tongqing Wang, Guoshun Pan, Xinchun Lu,