| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 5353453 | 1503606 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Effect of photocatalytic oxidation technology on GaN CMP
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													شیمی
													شیمی تئوریک و عملی
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												
												چکیده انگلیسی
												- Photocatalytic oxidation technology was introduced to GaN CMP for the first time and proves to be more efficient than before.
- XPS analysis reveals the planarization process by different N-type semiconductor particles.
- Analyzing the effect of pH on photocatalytic oxidation in GaN CMP.
- Proposing the photocatalytic oxidation model to reveal the removal mechanism.
ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 361, 15 January 2016, Pages 18-24
											Journal: Applied Surface Science - Volume 361, 15 January 2016, Pages 18-24
نویسندگان
												Jie Wang, Tongqing Wang, Guoshun Pan, Xinchun Lu,