کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5353453 1503606 2016 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of photocatalytic oxidation technology on GaN CMP
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Effect of photocatalytic oxidation technology on GaN CMP
چکیده انگلیسی

- Photocatalytic oxidation technology was introduced to GaN CMP for the first time and proves to be more efficient than before.
- XPS analysis reveals the planarization process by different N-type semiconductor particles.
- Analyzing the effect of pH on photocatalytic oxidation in GaN CMP.
- Proposing the photocatalytic oxidation model to reveal the removal mechanism.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 361, 15 January 2016, Pages 18-24
نویسندگان
, , , ,