کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5362356 | 1388284 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Copper diffusion in TaN-based thin layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The diffusion of Cu through TaN-based thin layers into a Si substrate has been studied. The barrier efficiency of TaN/Ta/TaN multilayers of 150Â nm in thickness has been investigated and is compared with that of TaN single layers. Thermal stabilities of these TaN-based thin layers against Cu diffusion were determined from in situ X-ray diffraction experiments, conducted in the temperature range of 773-973Â K. The TaN/Ta/TaN barrier appeared to be more efficient in preventing Cu diffusion than the TaN single layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 18, 15 July 2008, Pages 5670-5674
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 18, 15 July 2008, Pages 5670-5674
نویسندگان
J. Nazon, B. Fraisse, J. Sarradin, S.G. Fries, J.C. Tedenac, N. Fréty,