کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364031 | 1388310 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of silicon nanodots from dysprosium-doped amorphous SiCxOy films grown by hot-filament assisted chemical vapor deposition of CH3SiH3 and Dy(DPM)3 gas jets
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
68.55.Jk81.15.Gh85.40.Ry68.55.−a - 68.55.-a81.07.−b - 81.07.-b81.65.Mq - 81.65 مگاواتOxidation - اکسیداسیونChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییX-ray photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتر اشعه ایکسCross-sectional transmission electron microscopy - میکروسکوپ الکترونی عبور از مقطع عرضیNanodots - نانوتوث
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Formation of silicon nanodots from dysprosium-doped amorphous SiCxOy films grown by hot-filament assisted chemical vapor deposition of CH3SiH3 and Dy(DPM)3 gas jets Formation of silicon nanodots from dysprosium-doped amorphous SiCxOy films grown by hot-filament assisted chemical vapor deposition of CH3SiH3 and Dy(DPM)3 gas jets](/preview/png/5364031.png)
چکیده انگلیسی
We report on Si nanodot formation by chemical vapor deposition (CVD) of ultrathin films and following oxidation. The film growth was carried out by hot-filament assisted CVD of CH3SiH3 and Dy(DPM)3 gas jets at the substrate temperature of 600 °C. The transmission electron microscopy observation and X-ray photoelectron spectroscopy analysis indicated that â¼35 nm Dy-doped amorphous silicon oxycarbide (SiCxOy) films were grown on Si(1 0 0). The Dy concentration was 10-20% throughout the film. By further oxidation at 860 °C, the smooth amorphous film was changed to a rough structure composed of crystalline Si nanodots surrounded by heavily Dy-doped SiO2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 21, 31 August 2007, Pages 8657-8660
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 21, 31 August 2007, Pages 8657-8660
نویسندگان
Yoshifumi Ikoma, Takayoshi Masaki, Shinji Kawai, Teruaki Motooka,