کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5392703 1505534 2016 14 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Research on optoelectronic properties of GaN nanowires with N vacancy
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Research on optoelectronic properties of GaN nanowires with N vacancy
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational and Theoretical Chemistry - Volume 1092, 15 September 2016, Pages 19-24
نویسندگان
, , , , ,