کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5396198 | 1505746 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Layer-resolved photoelectron diffraction: Electron attenuation anisotropy in GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Layer-resolved photoelectron diffraction: Electron attenuation anisotropy in GaAs Layer-resolved photoelectron diffraction: Electron attenuation anisotropy in GaAs](/preview/png/5396198.png)
چکیده انگلیسی
⺠Unique layer-resolved photoelectron diffraction polar plots. ⺠Crystals with AlAs monolayers buried under the GaAs(0 0 1) c(4Ã4) surface. ⺠Large electron attenuation anisotropy with a nonexponential intensity decay. ⺠Pronounced differences of polar plots from even and odd Al sublayers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 185, Issues 5â7, August 2012, Pages 184-187
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 185, Issues 5â7, August 2012, Pages 184-187
نویسندگان
I. BartoÅ¡, M. Cukr, P. JiÅÃÄek,