کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5396331 | 1505755 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
XPS and depth resolved SXES study of HfO2/Si interlayers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Analysis of interfaces between (1 0 0)Si crystal and 5-nm thin HfO2 overlayers was conducted and the results obtained by a X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) in combination with Ar+ ion sputtering were compared to the results obtained by a non-destructive X-ray emission spectroscopy with depth resolution (DRSXES). It was found that the atomic layer deposition of hafnia results in a thinner Si oxide interlayer than the metallo-organic chemical vapour deposition. By DRSXES thickness of this interlayer was found to be 1.5 ± 0.1 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 181, Issues 2â3, August 2010, Pages 206-210
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 181, Issues 2â3, August 2010, Pages 206-210
نویسندگان
E.O. Filatova, A.A. Sokolov, A.A. Ovchinnikov, S.Yu. Tveryanovich, E.P. Savinov, D.E. Marchenko, V.V. Afanas'ev, A.S. Shulakov,