| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 5396357 | 1392284 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Layer-resolved photoelectron diffraction from Si(0 0 1) and GaAs(0 0 1)
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													شیمی
													شیمی تئوریک و عملی
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												⺠Full angular layer-resolved photoelectron diffraction plots. ⺠Si(0 0 1) and GaAs(0 0 1) surfaces. ⺠Large electron attenuation anisotropy. ⺠Unpolarized and circularly polarized excitation.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 185, Issue 11, November 2012, Pages 512-517
											Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 185, Issue 11, November 2012, Pages 512-517
نویسندگان
												I. Bartoš, O. Romanyuk,