کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5396475 | 1505751 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
X-dependent electronic structure of YbXCu4 (XÂ =Â Cd, In, Sn) investigated by hard X-ray photoemission spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
â¶ Comparison of electronic structure of YbCdCu4 and YbSnCu4 with that of the valence transition compounds YbInCu4. â¶ The lowest binding energy of the Cu 2p3/2 level for YbInCu4. â¶ Excess conduction electrons at the Cu site play an important role for the valence transition of YbInCu4.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 184, Issues 3â6, April 2011, Pages 203-206
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 184, Issues 3â6, April 2011, Pages 203-206
نویسندگان
Y. Utsumi, H. Sato, K. Tobimatsu, H. Maso, K. Hiraoka, K. Kojima, K. Mimura, S. Ueda, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, K. Shimada, H. Namatame, M. Taniguchi,