کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5396475 | 1505751 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
X-dependent electronic structure of YbXCu4 (XÂ =Â Cd, In, Sn) investigated by hard X-ray photoemission spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: X-dependent electronic structure of YbXCu4 (XÂ =Â Cd, In, Sn) investigated by hard X-ray photoemission spectroscopy X-dependent electronic structure of YbXCu4 (XÂ =Â Cd, In, Sn) investigated by hard X-ray photoemission spectroscopy](/preview/png/5396475.png)
چکیده انگلیسی
ⶠComparison of electronic structure of YbCdCu4 and YbSnCu4 with that of the valence transition compounds YbInCu4. ⶠThe lowest binding energy of the Cu 2p3/2 level for YbInCu4. ⶠExcess conduction electrons at the Cu site play an important role for the valence transition of YbInCu4.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 184, Issues 3â6, April 2011, Pages 203-206
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 184, Issues 3â6, April 2011, Pages 203-206
نویسندگان
Y. Utsumi, H. Sato, K. Tobimatsu, H. Maso, K. Hiraoka, K. Kojima, K. Mimura, S. Ueda, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, K. Shimada, H. Namatame, M. Taniguchi,