کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5396581 | 1505759 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Removal of charging on SiO2/Si structure during photoelectron spectroscopy measurements by metal overlayer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Since the density of charges resulting from photoemission on SiO2 strongly depends on the leakage characteristic, the magnitude of the shift of the SiO2 Si 2p peak from the substrate Si 2p peak becomes higher with a decrease in the leakage current density. The SiO2 layer formed with 98Â wt% HNO3 aqueous solutions possesses a lower leakage current density than that fabricated with 40Â wt% HNO3 solutions, resulting in the higher shift of the SiO2 Si 2p peak. The lower leakage current density results from a higher atomic density of the SiO2 layer and a lower density of suboxide species.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 176, Issues 1â3, January 2010, Pages 8-12
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 176, Issues 1â3, January 2010, Pages 8-12
نویسندگان
Woo-Byoung Kim, Masayoshi Nishiyama, Hikaru Kobayashi,