کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5397370 | 1505870 | 2017 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimization of InAs quantum dots through growth interruption on InAs/GaAs quantum dot heterostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Cross-sectional TEM images of sample B (growth interruption time 25Â s) along with sample D (growth interruption time 75Â s).277
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 192, December 2017, Pages 89-97
Journal: Journal of Luminescence - Volume 192, December 2017, Pages 89-97
نویسندگان
B. Tongbram, A. Ahmad, S. Sengupta, A. Mandal, J. Singhal, A. Balgarkashi, S. Chakrabarti,