کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5397685 | 1505878 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of excitonic effects on luminescence quantum yield in silicon
ترجمه فارسی عنوان
تأثیر اثرات اکسیژن در تولید کوانتومی لومینسانس در سیلیکون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
Nonradiative exciton lifetime in silicon is determined by comparison of the experimental and theoretical curves of bulk minority charge carriers lifetime on doping and excitation levels. This value is used to analyze the influence of excitonic effects on internal luminescence quantum yield at room temperature, taking into account both nonradiative and radiative exciton lifetimes. A range of Shockley-Hall-Reed lifetimes is found, where excitonic effects lead to an increase of internal luminescence quantum yield.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 183, March 2017, Pages 299-302
Journal: Journal of Luminescence - Volume 183, March 2017, Pages 299-302
نویسندگان
A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, V.M. Vlasiuk, I.O. Sokolovskyi, M. Evstigneev,