کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
539859 | 871275 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Behaviour of CPW and TFMS lines at high temperature for RF applications in sub-45 nm nodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Coplanar waveguide (CPW) and thin film microstrip (TFMS) lines integrating porous ultra low-k as inter-metal dielectric layers (k = 2.5) and copper as metal, are for the first time experimentally measured up to 110 GHz and under different temperature conditions, up to 200 °C. The extracted attenuation and propagation coefficients of those transmission lines are compared to simulations performed with MAGWEL software, a frequency domain 3-D Maxwell solver. Based on the characterization results some guidelines related to interconnect design are presented for future applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 3, March 2010, Pages 324–328
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 3, March 2010, Pages 324–328
نویسندگان
C. Roda Neve, A. Farcy, M. Gallitre, B. Blampey, P. Meuris, L. Arnaud, J.-P. Raskin,