کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5398909 | 1505898 | 2015 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence of indium-rich copper indium sulfide quantum dots
ترجمه فارسی عنوان
فوتولومینسانس نقاط کوانتومی سولفید مس مسی با غنی از اندیس
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
در غنی، سولفید هندسی مس، فوتولومینسانس، نقطه کوانتومی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
The enhanced photoluminescence (PL) for In-rich copper indium sulfide quantum dots (CIS QDs) was observed. The conduction electron-Cu vacancy recombination and the donor-acceptor pair (DAP) defect recombination were considered to exist in CIS QDs at the same time. The temperature-dependent PL study showed that the emission of these QDs might be mainly originated from the recombination between electrons in the quantized conduction band and holes in the copper vacancy acceptor when x was 0.500 (CuxIn1âxS). However, the temperature coefficient of PL peak position decreased when x was 0.237. That meant the DAP recombination increased in the In-rich CIS QDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 162, June 2015, Pages 191-196
Journal: Journal of Luminescence - Volume 162, June 2015, Pages 191-196
نویسندگان
Wenyan Liu, Yu Zhang, Jia Zhao, Yi Feng, Dan Wang, Tieqiang Zhang, Wenzhu Gao, Hairong Chu, Jingzhi Yin, Yiding Wang, Jun Zhao, William W. Yu,