کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
539938 | 871280 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Vertical poly-Si select pn-diodes for emerging resistive non-volatile memories
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Vertical polycrystalline silicon pn-diodes have been investigated as the select device for resistive non-volatile memories. The diodes have been fabricated up to the metal-1 level using basic processing steps of a CMOS front-end-of-line for 65 nm node and beyond. The study of the electric properties reveals that polycrystalline silicon diodes have a high current density in excess of 105 A/cm2 and exhibit good rectification ratio, even at temperatures as high as 125 °C. Besides single devices, cross-point arrays with polycrystalline Silicon diodes have also been investigated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 12, December 2007, Pages 2921–2926
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 12, December 2007, Pages 2921–2926
نویسندگان
D.S. Golubović, A.H. Miranda, N. Akil, R.T.F. van Schaijk, M.J. van Duuren,