کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5400042 | 1505913 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Edge excitation geometry for studying intrinsic emission spectra of bulk n-InP
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The shape of the photoluminescence line excited at an edge face of InP wafer and registered from the broadside is used to investigate the intrinsic emission spectrum. The procedure is much less sensitive to the surface properties and the carrier kinetics than the conventional methods used with the reflection or transmission geometry of photoluminescence. Our method provides a tool for studying the effects of non-equilibrium distribution of minority carriers in doped direct-band semiconductors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 147, March 2014, Pages 168-172
Journal: Journal of Luminescence - Volume 147, March 2014, Pages 168-172
نویسندگان
Oleg Semyonov, Arsen Subashiev, Zhichao Chen, Serge Luryi,