کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5400189 | 1505915 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band-gap engineering in Lu3Al5O12:Pr by Sc3+ or In3+ substitution
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Pr3+-doped Lu3âxScxAl5O12 and Lu3âxInxAl5O12 (x=0, 0.025, 0.1, 0.25, 0.5, 0.75, 1, and 2) polycrystals are fabricated by the high-temperature solid state reaction method. Although X-ray excited luminescence measurements show that there is no positive contribution of Sc3+ or In3+ substitution on the scintillation efficiency, but the physical aspects of band-gap engineering such as the cooperative process of excitation and thermal ionization of 5d1 excited state are illustrated in this study. We employ a combination of optical diffuse reflectance, photoluminescence, decay kinetic, thermoluminescence experiments to reveal the influence of Sc3+ or In3+ substitution on electronic structure and luminescent properties in Pr3+-doped lutetium aluminate garnet.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 145, January 2014, Pages 371-378
Journal: Journal of Luminescence - Volume 145, January 2014, Pages 371-378
نویسندگان
Yuntao Wu, Guoqing Zhang, Guohao Ren,