کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5400821 | 1505922 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of external field and consequent impurity breathing on excitation profile of doped quantum dots
ترجمه فارسی عنوان
تاثیر میدان های خارجی و ناخالصی های ناشی از آن بر روی مشخصات تحریک نقطه های کوانتومی دوتایی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نقطه کوانتومی، زمینه خارجی، دامنه ناشناخته، هماهنگی ناشناخته، فرکانس نوسان نسبی، نرخ اخراج،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
⺠The excitation profile of impurity doped quantum dot has been investigated. ⺠The dot is subject to external oscillatory field. ⺠Concomitant time-dependence in spatial stretch of impurity has been introduced. ⺠Minimization in excitation rate is observed as a function of two oscillation ratios. ⺠Role of dopant location has also been analyzed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 138, June 2013, Pages 48-52
Journal: Journal of Luminescence - Volume 138, June 2013, Pages 48-52
نویسندگان
Suvajit Pal, Manas Ghosh,