| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 5400821 | 1505922 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Influence of external field and consequent impurity breathing on excitation profile of doped quantum dots
												
											ترجمه فارسی عنوان
													تاثیر میدان های خارجی و ناخالصی های ناشی از آن بر روی مشخصات تحریک نقطه های کوانتومی دوتایی 
													
												دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												نقطه کوانتومی، زمینه خارجی، دامنه ناشناخته، هماهنگی ناشناخته، فرکانس نوسان نسبی، نرخ اخراج،
																																							
												موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													شیمی
													شیمی تئوریک و عملی
												
											چکیده انگلیسی
												⺠The excitation profile of impurity doped quantum dot has been investigated. ⺠The dot is subject to external oscillatory field. ⺠Concomitant time-dependence in spatial stretch of impurity has been introduced. ⺠Minimization in excitation rate is observed as a function of two oscillation ratios. ⺠Role of dopant location has also been analyzed.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 138, June 2013, Pages 48-52
											Journal: Journal of Luminescence - Volume 138, June 2013, Pages 48-52
نویسندگان
												Suvajit Pal, Manas Ghosh, 
											