کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5400923 | 1392704 | 2012 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Rate equation modelling of erbium luminescence dynamics in erbium-doped silicon-rich-silicon-oxide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we report on SiO2 thin films doped with Si-nc's and erbium. Time resolved PL measurements reveal two distinct 1.54 μm Er decay components; a fast microsecond component, and a relatively long lifetime component (10 ms). We also study the structural properties of these samples through TEM measurements, and reveal the formation of Er clusters. We propose that these Er clusters are responsible for the fast μs decay component, and we develop rate equation models that reproduce the experimental transient observations, and can explain some of the reported transient behaviour in previously published literature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 12, December 2012, Pages 3103-3112
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 12, December 2012, Pages 3103-3112
نویسندگان
Miraj Shah, Maciej Wojdak, Anthony J. Kenyon, Matthew P. Halsall, Hang Li, Iain F. Crowe,