کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5401003 | 1505924 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence spectra of InAs quantum dots embedded in GaAs heterostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Characterize photoluminescence (PL) in InAs quantum dots (QDs). ⺠A model is presented to explain experimental results. ⺠Our formalism is based on quantum confinement model and a distribution of QD sizes. ⺠Temperature dependence of PL is also studied.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 136, April 2013, Pages 401-406
Journal: Journal of Luminescence - Volume 136, April 2013, Pages 401-406
نویسندگان
Rahul M. Makhijani, S. Chakrabarti, Vijay A. Singh,