کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5401497 | 1392714 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Laser dressed donor impurities in free-standing GaAs films under an electric field
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Laser dressed donor impurities in free-standing GaAs films under an electric field Laser dressed donor impurities in free-standing GaAs films under an electric field](/preview/png/5401497.png)
چکیده انگلیسی
⺠Dielectric mismatch increases the binding energy in a freestanding quantum well. ⺠The subband and binding energies become stronger sensitive to the laser intensity. ⺠Depending on the donor position the electric field induces a red/blue energy shift.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 3, March 2012, Pages 585-591
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 3, March 2012, Pages 585-591
نویسندگان
Ecaterina C. Niculescu,