کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5401627 | 1392716 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence properties of Er-doped AlN films prepared by magnetron sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Er-related photoluminescence is obtained in Er-doped AlN thin films prepared at room temperature par RF sputtering. ⺠Er3+ ions can be directly or indirectly excited. ⺠The temperature quenching is weak. ⺠The magnetron power has a strong influence on the PL properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 9, September 2012, Pages 2367-2370
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 9, September 2012, Pages 2367-2370
نویسندگان
H. Rinnert, S.S. Hussain, V. Brien, J. Legrand, P. Pigeat,