کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5401630 | 1392716 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence mechanisms in silicon quantum dots embedded in nanometric chlorinated-silicon nitride films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Silicon quantum dots embedded in chlorinated-silicon nitride films. ⺠Films prepared by remote plasma enhanced chemical vapor deposition. ⺠Tunable visible photoluminescence and absorption edges by quantum confinement. ⺠A model is proposed to explain the photoluminescence mechanisms and stokes shift.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 9, September 2012, Pages 2385-2389
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 9, September 2012, Pages 2385-2389
نویسندگان
A. Rodriguez, J. Arenas, J.C. Alonso,