کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5401699 | 1392717 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Role of impurity influenced domain on excitation profile of doped quantum dot subject to oscillatory confinement potential
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Role of impurity influenced domain on excitation profile of doped quantum dot subject to oscillatory confinement potential Role of impurity influenced domain on excitation profile of doped quantum dot subject to oscillatory confinement potential](/preview/png/5401699.png)
چکیده انگلیسی
⺠The excitation profile of quantum dot subjects to periodically fluctuating confinement potential has been investigated. ⺠The quantum dot is doped with a repulsive Gaussian Impurity. ⺠The impurity domain and impurity location delicately modulate the excitation profile. ⺠The excitation becomes maximum for typical values of dopant strength depending upon the dopant location and dopant domain. ⺠The magnitude of this typical value undergoes immense enhancement on quenching the spatial extension of dopant. Such quenching beyond a critical value completely offsets any kind of excitation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 131, Issue 4, April 2011, Pages 795-800
Journal: Journal of Luminescence - Volume 131, Issue 4, April 2011, Pages 795-800
نویسندگان
Nirmal Kumar Datta, Manas Ghosh,