کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5401745 | 1392718 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonlinear optical rectification and second and third harmonic generation in GaAs δ-FET systems under hydrostatic pressure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠GaAs n-type delta-doped field effect transistor. ⺠NOR and SHG are enhanced as a result of the pressure. ⺠THG is quenched as a result of the pressure. ⺠The zero pressure situation is the best scenario for the THG.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 2, February 2012, Pages 449-456
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 2, February 2012, Pages 449-456
نویسندگان
J.C. MartÃnez-Orozco, M.E. Mora-Ramos, C.A. Duque,