کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5402024 | 1392724 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oblique-angle sputtered AlN nanocolumnar layer as a buffer layer in GaN-based LED
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠An AlN nanocolumnar buffer layer prepared by oblique-angle (OA) deposition. ⺠GaN-based LED structures were grown on a sapphire substrate with an AlN nanocolumnar buffer layer. ⺠The OA-AlN nanocolumnar layer has a diameter of about 30-60 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 131, Issue 6, June 2011, Pages 1234-1238
Journal: Journal of Luminescence - Volume 131, Issue 6, June 2011, Pages 1234-1238
نویسندگان
Lung-Chien Chen, Ching-Ho Tien, Wei-Chian Liao, Yi-Min Luo,