کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5402045 1392725 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Exciton states and optical transitions in InGaN/GaN quantum dot nanowire heterostructures: Strong built-in electric field and dielectric mismatch effects
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Exciton states and optical transitions in InGaN/GaN quantum dot nanowire heterostructures: Strong built-in electric field and dielectric mismatch effects
چکیده انگلیسی
► The built-in electric field reduces the effective band gap of quantum dots. ► The built-in electric field leads to a remarkable electron-hole spatial separation. ► Dielectric mismatch obviously influences on exciton states and optical transitions. ► Radiative decay time increases exponentially when quantum dot height increases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 131, Issue 9, September 2011, Pages 1908-1912
نویسندگان
, ,