کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5402045 | 1392725 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Exciton states and optical transitions in InGaN/GaN quantum dot nanowire heterostructures: Strong built-in electric field and dielectric mismatch effects
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The built-in electric field reduces the effective band gap of quantum dots. ⺠The built-in electric field leads to a remarkable electron-hole spatial separation. ⺠Dielectric mismatch obviously influences on exciton states and optical transitions. ⺠Radiative decay time increases exponentially when quantum dot height increases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 131, Issue 9, September 2011, Pages 1908-1912
Journal: Journal of Luminescence - Volume 131, Issue 9, September 2011, Pages 1908-1912
نویسندگان
Min Zhang, Jun-jie Shi,