کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
540235 871294 2006 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-voltage SiC and GaN power devices
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
High-voltage SiC and GaN power devices
چکیده انگلیسی

The recent progress in the development of high-voltage SiC and GaN power switching devices is reviewed. The experimental performance of various rectifiers and transistors, which have been demonstrated, is discussed. Material and processing challenges and reliability concerns on SiC and GaN power devices are also described. The future trends in device development and commercialization are pointed out.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issue 1, January 2006, Pages 112–122
نویسندگان
,