کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5402935 | 1392746 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sensitisation of erbium emission by silicon nanocrystals-doped SnO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
SnO2 thin films undoped and doped with antimony (Sb), erbium (Er) and Si nanocrystals (Si-nc) have been grown on silicon (Si) substrate using sol-gel method. Room-temperature photoluminescence (PL) measurement of undoped SnO2, under excitation at 280Â nm, shows only one broad emission at 395Â nm, which is related to oxygen vacancies. The PL of Er3+ ions was found to be enhanced after doping SnO2 with Sb and Si-nc. The excitation process of Er is studied and discussed. The calculation of cross-section suggests a sensitisation of Er PL by Si-nc.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 129, Issue 1, January 2009, Pages 30-33
Journal: Journal of Luminescence - Volume 129, Issue 1, January 2009, Pages 30-33
نویسندگان
C. Bouzidi, H. Elhouichet, A. Moadhen, M. Oueslati,