کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5403253 | 1392755 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Time-resolved photoluminescence of delta-doped AlGaAs/GaAs heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The photoluminescence (PL) at low temperature of three delta-doped AlGaAs/GaAs heterostructures is investigated under continuous and pulsed excitations. The PL under continuous excitations allows the identification of the trapping centres and probes the carrier's transfer to the GaAs channel. The time-resolved photoluminescence (TRPL) inquires about carrier dynamics and gives radiative lifetimes of different levels. The DX level shows two time constants of the intensity decay relating the splitting of the valence band under impurity strains which reduce the crystal symmetry. The two time constants evolve with temperature and exhibit an increase near T=50Â K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 128, Issue 8, August 2008, Pages 1317-1322
Journal: Journal of Luminescence - Volume 128, Issue 8, August 2008, Pages 1317-1322
نویسندگان
A. Meftah, H. Ajlani, S. Aloulou, M. Oueslati, D. Scalbert, J. Allegre, H. Maaref,