کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540630 | 871329 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-cost trench isolation technique for reverse blocking IGBT using boron nitride doping wafers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new fabrication process for IGBT devices with reverse blocking capability (RB-IGBT) is presented in this paper. The trench isolation approach which provides the reverse blocking capability has been implemented using solid source as doping technique (Boron doping wafers), resulting in a low-cost process in both starting material and time-consuming aspects. The feasibility of the fabrication technique has been validated with the electrical measurements of the prototype devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 11, November 2010, Pages 2323–2327
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 11, November 2010, Pages 2323–2327
نویسندگان
M. Vellvehi, J.L. Gálvez, X. Perpiñà, X. Jordà, P. Godignon, J. Millán,